IRF8113PBF | Rochester Electronics IRF8113PBF | IRF8113PBF Inventory, Best Pricing

IRF8113PBF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IRF8113PBF
LIXINC Part #	IRF8113PBF
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	HEXFET POWER MOSFET
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IRF8113PBF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IRF8113PBF Specificaties

Onderdeel nummer:	IRF8113PBF
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	17.2A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	5.6mOhm @ 17.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2.91 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.5W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	8-SO
pakket / koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)