BSS169H6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSS169H6327XTSA1 | BSS169H6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSS169H6327XTSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSS169H6327XTSA1
LIXINC Part #	BSS169H6327XTSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSS169H6327XTSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSS169H6327XTSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSS169H6327XTSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	170mA (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	0V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 50µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	2.8 nC @ 7 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	68 pF @ 25 V
fet-functie:	Depletion Mode
vermogensdissipatie (max):	360mW (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	SOT-23-3
pakket / koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3