IPB80N06S209ATMA1 | Rochester Electronics IPB80N06S209ATMA1 | IPB80N06S209ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S209ATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPB80N06S209ATMA1
LIXINC Part #	IPB80N06S209ATMA1
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPB80N06S209ATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPB80N06S209ATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPB80N06S209ATMA1
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	55 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	80A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 125µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2.36 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	190W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TO263-3-2
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB