SCTW100N65G2AG | STMicroelectronics SCTW100N65G2AG | SCTW100N65G2AG Inventory, Best Pricing

SCTW100N65G2AG

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SCTW100N65G2AG
LIXINC Part #	SCTW100N65G2AG
Fabrikant	STMicroelectronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SCTW100N65G2AG PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SCTW100N65G2AG Specificaties

Onderdeel nummer:	SCTW100N65G2AG
Merk:	STMicroelectronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	STMicroelectronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	650 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	100A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	18V
rds op (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 5mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	162 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -10V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	3315 pF @ 520 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	420W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	HiP247™
pakket / koffer:	TO-247-3