FZ1800R12HE4B9HOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1800R12HE4B9HOSA2 | FZ1800R12HE4B9HOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1800R12HE4B9HOSA2

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FZ1800R12HE4B9HOSA2
LIXINC Part #	FZ1800R12HE4B9HOSA2
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MODULE 1200V 2735A
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FZ1800R12HE4B9HOSA2 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 03 - Jul 07 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FZ1800R12HE4B9HOSA2 Specificaties

Onderdeel nummer:	FZ1800R12HE4B9HOSA2
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pakket:	Tray
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	Trench Field Stop
configuratie:	Single Switch
spanning - collector emitter doorslag (max):	1200 V
stroom - collector (ic) (max):	2735 A
vermogen - max:	11000 W
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 1800A
stroom - collectoruitschakeling (max):	5 mA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	110 nF @ 25 V
invoer:	Standard
ntc-thermistor:	No
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	Module
apparaatpakket leverancier:	Module