FP50R12KT4B16BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FP50R12KT4B16BOSA1 | FP50R12KT4B16BOSA1 Inventory, Best Pricing

FP50R12KT4B16BOSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FP50R12KT4B16BOSA1
LIXINC Part #	FP50R12KT4B16BOSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MOD 1200V 100A 280W
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FP50R12KT4B16BOSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 05 - Jul 09 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FP50R12KT4B16BOSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	FP50R12KT4B16BOSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pakket:	Tray
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	Trench Field Stop
configuratie:	Three Phase Inverter
spanning - collector emitter doorslag (max):	1200 V
stroom - collector (ic) (max):	100 A
vermogen - max:	280 W
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.25V @ 15V, 50A
stroom - collectoruitschakeling (max):	1 mA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	2.8 nF @ 25 V
invoer:	Three Phase Bridge Rectifier
ntc-thermistor:	Yes
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	Module
apparaatpakket leverancier:	Module