SI4435DYPBF | IR (Infineon Technologies) SI4435DYPBF | SI4435DYPBF Inventory, Best Pricing

SI4435DYPBF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SI4435DYPBF
LIXINC Part #	SI4435DYPBF
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SI4435DYPBF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SI4435DYPBF Specificaties

Onderdeel nummer:	SI4435DYPBF
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Discontinued at Digi-Key
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	8A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2320 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.5W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	8-SO
pakket / koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)