TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK4A60DB(STA4,Q,M) | TK4A60DB(STA4,Q,M) Inventory, Best Pricing

TK4A60DB(STA4,Q,M)

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TK4A60DB(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TK4A60DB(STA4,Q,M) PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TK4A60DB(STA4,Q,M) Specificaties

Onderdeel nummer:	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	π-MOSVII
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Last Time Buy
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	3.7A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.4V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	540 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	35W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-220SIS
pakket / koffer:	TO-220-3 Full Pack