STB12NM60N-1 | STMicroelectronics STB12NM60N-1 | STB12NM60N-1 Inventory, Best Pricing

STB12NM60N-1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	STB12NM60N-1
LIXINC Part #	STB12NM60N-1
Fabrikant	STMicroelectronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	STB12NM60N-1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 03 - Jul 07 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

STB12NM60N-1 Specificaties

Onderdeel nummer:	STB12NM60N-1
Merk:	STMicroelectronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	STMicroelectronics
serie:	MDmesh™ II
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	10A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	410mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	30.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	960 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	90W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	I2PAK
pakket / koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA