IPP80N06S2L09AKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP80N06S2L09AKSA1 | IPP80N06S2L09AKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP80N06S2L09AKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPP80N06S2L09AKSA1
LIXINC Part #	IPP80N06S2L09AKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPP80N06S2L09AKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 05 - Jul 09 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPP80N06S2L09AKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPP80N06S2L09AKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Discontinued at Digi-Key
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	55 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	80A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 125µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2620 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	190W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO220-3-1
pakket / koffer:	TO-220-3