SIUD412ED-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 | SIUD412ED-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIUD412ED-T1-GE3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SIUD412ED-T1-GE3
LIXINC Part #	SIUD412ED-T1-GE3
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SIUD412ED-T1-GE3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SIUD412ED-T1-GE3 Specificaties

Onderdeel nummer:	SIUD412ED-T1-GE3
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	12 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	500mA (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	1.2V, 4.5V
rds op (max) @ id, vgs:	340mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	900mV @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	0.71 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±5V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	21 pF @ 6 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.25W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PowerPAK® 0806
pakket / koffer:	PowerPAK® 0806