TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Inventory, Best Pricing

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
LIXINC Part #	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Specificaties

Onderdeel nummer:	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVI
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	8A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	6V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (max):	+10V, -20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	890 pF @ 10 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	27W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	DPAK+
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63