VS-ETF150Y65U | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETF150Y65U

VS-ETF150Y65U

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	VS-ETF150Y65U
LIXINC Part #	VS-ETF150Y65U
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	VS-ETF150Y65U PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

VS-ETF150Y65U Specificaties

Onderdeel nummer:	VS-ETF150Y65U
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
pakket:	Tray
onderdeel staat:	Obsolete
igbt-type:	Trench
configuratie:	Three Level Inverter
spanning - collector emitter doorslag (max):	650 V
stroom - collector (ic) (max):	142 A
vermogen - max:	417 W
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.06V @ 15V, 100A
stroom - collectoruitschakeling (max):	100 µA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	6.6 nF @ 30 V
invoer:	Standard
ntc-thermistor:	No
bedrijfstemperatuur:	175°C (TJ)
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	EMIPAK-2B
apparaatpakket leverancier:	EMIPAK-2B