SSM3J307T(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J307T(TE85L,F) | SSM3J307T(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM3J307T(TE85L,F)

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SSM3J307T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3J307T(TE85L,F)
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SSM3J307T(TE85L,F) PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SSM3J307T(TE85L,F) Specificaties

Onderdeel nummer:	SSM3J307T(TE85L,F)
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSV
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	20 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	5A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	1.5V, 4.5V
rds op (max) @ id, vgs:	31mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1170 pF @ 10 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	700mW (Ta)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	TSM
pakket / koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3