IRFHM830DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFHM830DTRPBF | IRFHM830DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFHM830DTRPBF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IRFHM830DTRPBF
LIXINC Part #	IRFHM830DTRPBF
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IRFHM830DTRPBF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IRFHM830DTRPBF Specificaties

Onderdeel nummer:	IRFHM830DTRPBF
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	20A (Ta), 40A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 50µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	27 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1797 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.8W (Ta), 37W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PQFN (3x3)
pakket / koffer:	8-VQFN Exposed Pad