TPC8115(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8115(TE12L,Q,M) | TPC8115(TE12L,Q,M) Inventory, Best Pricing

TPC8115(TE12L,Q,M)

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TPC8115(TE12L,Q,M)
LIXINC Part #	TPC8115(TE12L,Q,M)
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TPC8115(TE12L,Q,M) PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TPC8115(TE12L,Q,M) Specificaties

Onderdeel nummer:	TPC8115(TE12L,Q,M)
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSIV
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	20 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	10A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	1.8V, 4.5V
rds op (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 200µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	115 nC @ 5 V
vgs (max):	±8V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	9130 pF @ 10 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	8-SOP (5.5x6.0)
pakket / koffer:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)