SI5858DU-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI5858DU-T1-E3 | SI5858DU-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI5858DU-T1-E3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SI5858DU-T1-E3
LIXINC Part #	SI5858DU-T1-E3
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SI5858DU-T1-E3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SI5858DU-T1-E3 Specificaties

Onderdeel nummer:	SI5858DU-T1-E3
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	LITTLE FOOT®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	20 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	6A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	1.8V, 4.5V
rds op (max) @ id, vgs:	39mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 8 V
vgs (max):	±8V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	520 pF @ 10 V
fet-functie:	Schottky Diode (Isolated)
vermogensdissipatie (max):	2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PowerPAK® ChipFet Dual
pakket / koffer:	PowerPAK® ChipFET™ Dual