NVD5802NT4G-TB01 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVD5802NT4G-TB01

NVD5802NT4G-TB01

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	NVD5802NT4G-TB01
LIXINC Part #	NVD5802NT4G-TB01
Fabrikant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	NVD5802NT4G-TB01 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 10 - Oct 14 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

NVD5802NT4G-TB01 Specificaties

Onderdeel nummer:	NVD5802NT4G-TB01
Merk:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	40 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	16.4A (Ta), 101A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	5300 pF @ 12 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	DPAK
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63