FQP6N60C_F080 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQP6N60C_F080

FQP6N60C_F080

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FQP6N60C_F080
LIXINC Part #	FQP6N60C_F080
Fabrikant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FQP6N60C_F080 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FQP6N60C_F080 Specificaties

Onderdeel nummer:	FQP6N60C_F080
Merk:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	QFET®
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	5.5A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	810 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	125W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-220-3
pakket / koffer:	TO-220-3