BSC085N025S G | IR (Infineon Technologies) BSC085N025S G | BSC085N025S G Inventory, Best Pricing

BSC085N025S G

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSC085N025S G
LIXINC Part #	BSC085N025S G
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 25V 14A/35A TDSON
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSC085N025S G PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 25 - Sep 29 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSC085N025S G Specificaties

Onderdeel nummer:	BSC085N025S G
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	25 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	14A (Ta), 35A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 25µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1800 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.8W (Ta), 52W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TDSON-8-1
pakket / koffer:	8-PowerTDFN