2SA1930,LBS2DIAQ(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1930,LBS2DIAQ(J | 2SA1930,LBS2DIAQ(J Inventory, Best Pricing

2SA1930,LBS2DIAQ(J

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	2SA1930,LBS2DIAQ(J
LIXINC Part #	2SA1930,LBS2DIAQ(J
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - bipolair (bjt) - enkelvoudig
Beschrijving	TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	2SA1930,LBS2DIAQ(J PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

2SA1930,LBS2DIAQ(J Specificaties

Onderdeel nummer:	2SA1930,LBS2DIAQ(J
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - bipolair (bjt) - enkelvoudig
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Obsolete
transistor type:	PNP
stroom - collector (ic) (max):	2 A
spanning - collector emitter doorslag (max):	180 V
vce verzadiging (max) @ ib, ic:	1V @ 100mA, 1A
stroom - collectoruitschakeling (max):	5µA (ICBO)
gelijkstroomversterking (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 100mA, 5V
vermogen - max:	2 W
frequentie - overgang:	200MHz
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
pakket / koffer:	TO-220-3 Full Pack
apparaatpakket leverancier:	TO-220NIS