FS100R07N2E4B11BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FS100R07N2E4B11BOSA1 | FS100R07N2E4B11BOSA1 Inventory, Best Pricing

FS100R07N2E4B11BOSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FS100R07N2E4B11BOSA1
LIXINC Part #	FS100R07N2E4B11BOSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MOD 650V 125A 20MW
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FS100R07N2E4B11BOSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FS100R07N2E4B11BOSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	FS100R07N2E4B11BOSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	Trench Field Stop
configuratie:	Three Phase Inverter
spanning - collector emitter doorslag (max):	650 V
stroom - collector (ic) (max):	125 A
vermogen - max:	20 mW
vce(aan) (max) @ vge, ic:	1.95V @ 15V, 100A
stroom - collectoruitschakeling (max):	1 mA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	6.2 nF @ 25 V
invoer:	Standard
ntc-thermistor:	Yes
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	Module
apparaatpakket leverancier:	Module