RN2108MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	RN2108MFV,L3F
LIXINC Part #	RN2108MFV,L3F
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - bipolair (bjt) - enkelvoudig, vooraf ingesteld
Beschrijving	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	RN2108MFV,L3F PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

RN2108MFV,L3F Specificaties

Onderdeel nummer:	RN2108MFV,L3F
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - bipolair (bjt) - enkelvoudig, vooraf ingesteld
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
transistor type:	PNP - Pre-Biased
stroom - collector (ic) (max):	100 mA
spanning - collector emitter doorslag (max):	50 V
weerstand - basis (r1):	22 kOhms
weerstand - emitterbasis (r2):	47 kOhms
gelijkstroomversterking (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce verzadiging (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
stroom - collectoruitschakeling (max):	500nA
frequentie - overgang:	-
vermogen - max:	150 mW
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	SOT-723
apparaatpakket leverancier:	VESM