MW6S010GNR1 | NXP Semiconductors MW6S010GNR1 | MW6S010GNR1 Inventory, Best Pricing

MW6S010GNR1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	MW6S010GNR1
LIXINC Part #	MW6S010GNR1
Fabrikant	NXP Semiconductors
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - rf
Beschrijving	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	MW6S010GNR1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 09 - Oct 13 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

MW6S010GNR1 Specificaties

Onderdeel nummer:	MW6S010GNR1
Merk:	NXP Semiconductors
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabrikant:	NXP Semiconductors
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
transistor type:	LDMOS
frequentie:	960MHz
verdienen:	18dB
spanning - testen:	28 V
stroomsterkte (ampère):	-
lawaai figuur:	-
huidige - test:	125 mA
vermogen:	10W
spanning - nominaal:	68 V
pakket / koffer:	TO-270BA
apparaatpakket leverancier:	TO-270-2 GULL

BLF8G10LS-270,118	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	931 Meer over bestellen
BLF8G22LS-270V,118	RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B	800 Meer over bestellen
BLP05H6110XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	1084 Meer over bestellen
BLF8G27LS-150VU	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B	910 Meer over bestellen
MCH3456-TL-E	NCH 1.8V DRIVE SERIES	87875 Meer over bestellen
A2G26H281-04SR3	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	931 Meer over bestellen
2SJ277-DL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	2869 Meer over bestellen
BLF2425M7LS250P:11	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B	959 Meer over bestellen
STAC4933	MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B	888 Meer over bestellen
BF256B	RF SMALL SIGNAL FIELDCHANNEL, JU	881 Meer over bestellen
MRF1K50HR5	HIGH POWER RF TRANSISTOR	967 Meer over bestellen
PD85004	FET RF 40V 870MHZ	968 Meer over bestellen
MWT-173	FET RF 5V 12GHZ PKG 73	1705 Meer over bestellen