MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation MT3S111P(TE12L,F) | MT3S111P(TE12L,F) Inventory, Best Pricing

MT3S111P(TE12L,F)

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	MT3S111P(TE12L,F)
LIXINC Part #	MT3S111P(TE12L,F)
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - bipolair (bjt) - rf
Beschrijving	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	MT3S111P(TE12L,F) PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

MT3S111P(TE12L,F) Specificaties

Onderdeel nummer:	MT3S111P(TE12L,F)
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - bipolair (bjt) - rf
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
transistor type:	NPN
spanning - collector emitter doorslag (max):	6V
frequentie - overgang:	8GHz
ruisgetal (db typ @ f):	1.25dB @ 1GHz
verdienen:	10.5dB
vermogen - max:	1W
gelijkstroomversterking (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
stroom - collector (ic) (max):	100mA
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	TO-243AA
apparaatpakket leverancier:	PW-MINI