1N6483HE3/97 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N6483HE3/97

1N6483HE3/97

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	1N6483HE3/97
LIXINC Part #	1N6483HE3/97
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Beschrijving	DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	1N6483HE3/97 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

1N6483HE3/97 Specificaties

Onderdeel nummer:	1N6483HE3/97
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	SUPERECTIFIER®
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
diodetype:	Standard
spanning - dc omgekeerd (vr) (max):	800 V
actueel - gemiddeld gerectificeerd (io):	1A
spanning - vooruit (vf) (max) @ als:	1.1 V @ 1 A
snelheid:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
omgekeerde hersteltijd (trr):	-
stroom - omgekeerde lekkage @ vr:	10 µA @ 800 V
capaciteit @ vr, f:	8pF @ 4V, 1MHz
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	DO-213AB, MELF (Glass)
apparaatpakket leverancier:	DO-213AB
bedrijfstemperatuur - knooppunt:	-65°C ~ 175°C