NSB8GTHE3_A/P | Vishay General Semiconductor – Diodes Division NSB8GTHE3_A/P

NSB8GTHE3_A/P

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	NSB8GTHE3_A/P
LIXINC Part #	NSB8GTHE3_A/P
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Beschrijving	DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	NSB8GTHE3_A/P PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

NSB8GTHE3_A/P Specificaties

Onderdeel nummer:	NSB8GTHE3_A/P
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
diodetype:	Standard
spanning - dc omgekeerd (vr) (max):	400 V
actueel - gemiddeld gerectificeerd (io):	8A
spanning - vooruit (vf) (max) @ als:	1.1 V @ 8 A
snelheid:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
omgekeerde hersteltijd (trr):	-
stroom - omgekeerde lekkage @ vr:	10 µA @ 400 V
capaciteit @ vr, f:	55pF @ 4V, 1MHz
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
apparaatpakket leverancier:	TO-263AB
bedrijfstemperatuur - knooppunt:	-55°C ~ 150°C