BYG10J-M3/TR | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYG10J-M3/TR

BYG10J-M3/TR

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BYG10J-M3/TR
LIXINC Part #	BYG10J-M3/TR
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Beschrijving	DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BYG10J-M3/TR PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 20 - Oct 24 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BYG10J-M3/TR Specificaties

Onderdeel nummer:	BYG10J-M3/TR
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
diodetype:	Avalanche
spanning - dc omgekeerd (vr) (max):	600 V
actueel - gemiddeld gerectificeerd (io):	1.5A
spanning - vooruit (vf) (max) @ als:	1.15 V @ 1.5 A
snelheid:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
omgekeerde hersteltijd (trr):	4 µs
stroom - omgekeerde lekkage @ vr:	1 µA @ 600 V
capaciteit @ vr, f:	-
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	DO-214AC, SMA
apparaatpakket leverancier:	DO-214AC (SMA)
bedrijfstemperatuur - knooppunt:	-55°C ~ 150°C