VS-10ETF12S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-10ETF12S-M3

VS-10ETF12S-M3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	VS-10ETF12S-M3
LIXINC Part #	VS-10ETF12S-M3
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Beschrijving	DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	VS-10ETF12S-M3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

VS-10ETF12S-M3 Specificaties

Onderdeel nummer:	VS-10ETF12S-M3
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
diodetype:	Standard
spanning - dc omgekeerd (vr) (max):	1200 V
actueel - gemiddeld gerectificeerd (io):	10A
spanning - vooruit (vf) (max) @ als:	1.33 V @ 10 A
snelheid:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
omgekeerde hersteltijd (trr):	310 ns
stroom - omgekeerde lekkage @ vr:	100 µA @ 1200 V
capaciteit @ vr, f:	-
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
apparaatpakket leverancier:	D2PAK
bedrijfstemperatuur - knooppunt:	-40°C ~ 150°C