UGB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UGB8JT-E3/81

UGB8JT-E3/81

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	UGB8JT-E3/81
LIXINC Part #	UGB8JT-E3/81
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Beschrijving	DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	UGB8JT-E3/81 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 27 - Oct 31 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

UGB8JT-E3/81 Specificaties

Onderdeel nummer:	UGB8JT-E3/81
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
diodetype:	Standard
spanning - dc omgekeerd (vr) (max):	600 V
actueel - gemiddeld gerectificeerd (io):	8A
spanning - vooruit (vf) (max) @ als:	1.75 V @ 8 A
snelheid:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
omgekeerde hersteltijd (trr):	50 ns
stroom - omgekeerde lekkage @ vr:	30 µA @ 600 V
capaciteit @ vr, f:	-
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
apparaatpakket leverancier:	TO-263AB
bedrijfstemperatuur - knooppunt:	-55°C ~ 150°C