IPB017N10N5LFATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB017N10N5LFATMA1 | IPB017N10N5LFATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB017N10N5LFATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPB017N10N5LFATMA1
LIXINC Part #	IPB017N10N5LFATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPB017N10N5LFATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPB017N10N5LFATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPB017N10N5LFATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™-5
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	180A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.1V @ 270µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	195 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	840 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	313W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TO263-7
pakket / koffer:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)