TK10J80E,S1E | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK10J80E,S1E

TK10J80E,S1E

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TK10J80E,S1E
LIXINC Part #	TK10J80E,S1E
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TK10J80E,S1E PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 08 - Oct 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TK10J80E,S1E Specificaties

Onderdeel nummer:	TK10J80E,S1E
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	π-MOSVIII
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	800 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	10A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	250W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-3P(N)
pakket / koffer:	TO-3P-3, SC-65-3