BSC882N03MSGATMA1 | Rochester Electronics BSC882N03MSGATMA1 | BSC882N03MSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC882N03MSGATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSC882N03MSGATMA1
LIXINC Part #	BSC882N03MSGATMA1
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSC882N03MSGATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 05 - Oct 09 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSC882N03MSGATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSC882N03MSGATMA1
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	34 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	22A (Ta), 100A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	2.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	4.3 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.5W (Ta), 69W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TDSON-8-1
pakket / koffer:	8-PowerTDFN