IPAW60R180P7SXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPAW60R180P7SXKSA1 | IPAW60R180P7SXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPAW60R180P7SXKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPAW60R180P7SXKSA1
LIXINC Part #	IPAW60R180P7SXKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPAW60R180P7SXKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 20 - Oct 24 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPAW60R180P7SXKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPAW60R180P7SXKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ P7
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	650 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	18A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 280µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1081 pF @ 400 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	26W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO220 Full Pack
pakket / koffer:	TO-220-3 Full Pack