FDB8870 | Rochester Electronics FDB8870 | FDB8870 Inventory, Best Pricing

FDB8870

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDB8870
LIXINC Part #	FDB8870
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDB8870 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 20 - Oct 24 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDB8870 Specificaties

Onderdeel nummer:	FDB8870
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	23A (Ta), 160A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	3.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	132 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	5.2 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	160W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	TO-263AB
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB