BSC079N10NSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC079N10NSGATMA1 | BSC079N10NSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC079N10NSGATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSC079N10NSGATMA1
LIXINC Part #	BSC079N10NSGATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSC079N10NSGATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSC079N10NSGATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSC079N10NSGATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Not For New Designs
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	13.4A (Ta), 100A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	7.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 110µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	87 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	5900 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	156W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TDSON-8-1
pakket / koffer:	8-PowerTDFN