FDD86113LZ | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD86113LZ

FDD86113LZ

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDD86113LZ
LIXINC Part #	FDD86113LZ
Fabrikant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDD86113LZ PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 26 - Sep 30 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDD86113LZ Specificaties

Onderdeel nummer:	FDD86113LZ
Merk:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	285 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	3.1W (Ta), 29W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	D-PAK (TO-252)
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63