BSC019N06NSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC019N06NSATMA1 | BSC019N06NSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC019N06NSATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSC019N06NSATMA1
LIXINC Part #	BSC019N06NSATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSC019N06NSATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 26 - Sep 30 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSC019N06NSATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSC019N06NSATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	100A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	6V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	1.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.3V @ 74µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	77 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	5.25 nF @ 30 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	136W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TDSON-8 FL
pakket / koffer:	8-PowerTDFN