IPS80R2K0P7AKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPS80R2K0P7AKMA1 | IPS80R2K0P7AKMA1 Inventory, Best Pricing

IPS80R2K0P7AKMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPS80R2K0P7AKMA1
LIXINC Part #	IPS80R2K0P7AKMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPS80R2K0P7AKMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 26 - Sep 30 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPS80R2K0P7AKMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPS80R2K0P7AKMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ P7
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	800 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	3A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 940mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 50µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	175 pF @ 500 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	24W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO251-3-342
pakket / koffer:	TO-251-3 Stub Leads, IPak