FDP2D3N10C | Rochester Electronics FDP2D3N10C | FDP2D3N10C Inventory, Best Pricing

FDP2D3N10C

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDP2D3N10C
LIXINC Part #	FDP2D3N10C
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDP2D3N10C PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 25 - Sep 29 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDP2D3N10C Specificaties

Onderdeel nummer:	FDP2D3N10C
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	222A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 700µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	11.18 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	214W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-220-3
pakket / koffer:	TO-220-3