IRFH5104TR2PBF | IR (Infineon Technologies) IRFH5104TR2PBF | IRFH5104TR2PBF Inventory, Best Pricing

IRFH5104TR2PBF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IRFH5104TR2PBF
LIXINC Part #	IRFH5104TR2PBF
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IRFH5104TR2PBF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 25 - Sep 29 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IRFH5104TR2PBF Specificaties

Onderdeel nummer:	IRFH5104TR2PBF
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	40 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	24A (Ta), 100A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	3.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 100µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	3120 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	3.6W (Ta), 114W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PQFN (5x6)
pakket / koffer:	8-VQFN Exposed Pad