RS1E200BNTB | ROHM Semiconductor RS1E200BNTB | RS1E200BNTB Inventory, Best Pricing

RS1E200BNTB

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	RS1E200BNTB
LIXINC Part #	RS1E200BNTB
Fabrikant	ROHM Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	RS1E200BNTB PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 25 - Sep 29 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

RS1E200BNTB Specificaties

Onderdeel nummer:	RS1E200BNTB
Merk:	ROHM Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	ROHM Semiconductor
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	20A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	59 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	3100 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	3W (Ta), 25W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	8-HSOP
pakket / koffer:	8-PowerTDFN