SI2312BDS-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI2312BDS-T1-E3 | SI2312BDS-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI2312BDS-T1-E3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SI2312BDS-T1-E3
LIXINC Part #	SI2312BDS-T1-E3
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SI2312BDS-T1-E3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 08 - Oct 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SI2312BDS-T1-E3 Specificaties

Onderdeel nummer:	SI2312BDS-T1-E3
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	20 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	3.9A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	1.8V, 4.5V
rds op (max) @ id, vgs:	31mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	850mV @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	-
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	750mW (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	SOT-23-3 (TO-236)
pakket / koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3