BSP322PH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP322PH6327XTSA1 | BSP322PH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP322PH6327XTSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSP322PH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP322PH6327XTSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSP322PH6327XTSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 09 - Oct 13 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSP322PH6327XTSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSP322PH6327XTSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	1A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	800mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 380µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	16.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	372 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.8W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-SOT223-4
pakket / koffer:	TO-261-4, TO-261AA