IPD30N06S2L23ATMA3 | IR (Infineon Technologies) IPD30N06S2L23ATMA3 | IPD30N06S2L23ATMA3 Inventory, Best Pricing

IPD30N06S2L23ATMA3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPD30N06S2L23ATMA3
LIXINC Part #	IPD30N06S2L23ATMA3
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPD30N06S2L23ATMA3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 09 - Oct 13 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPD30N06S2L23ATMA3 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPD30N06S2L23ATMA3
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	55 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	30A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 50µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1091 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	100W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TO252-3-11
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63