FDP032N08B-F102 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDP032N08B-F102
LIXINC Part #	FDP032N08B-F102
Fabrikant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDP032N08B-F102 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 08 - Oct 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDP032N08B-F102 Specificaties

Onderdeel nummer:	FDP032N08B-F102
Merk:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	80 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	120A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	144 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	10965 pF @ 40 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	263W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-220-3
pakket / koffer:	TO-220-3