SPP18P06PHXKSA1 | IR (Infineon Technologies) SPP18P06PHXKSA1 | SPP18P06PHXKSA1 Inventory, Best Pricing

SPP18P06PHXKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SPP18P06PHXKSA1
LIXINC Part #	SPP18P06PHXKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SPP18P06PHXKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SPP18P06PHXKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	SPP18P06PHXKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	18.7A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	860 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	81.1W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO220-3
pakket / koffer:	TO-220-3