TK31E60W,S1VX | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TK31E60W,S1VX
LIXINC Part #	TK31E60W,S1VX
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TK31E60W,S1VX PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TK31E60W,S1VX Specificaties

Onderdeel nummer:	TK31E60W,S1VX
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	DTMOSIV
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	30.8A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 1.5mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	86 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	3000 pF @ 300 V
fet-functie:	Super Junction
vermogensdissipatie (max):	230W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-220
pakket / koffer:	TO-220-3