BSZ086P03NS3EGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ086P03NS3EGATMA1 | BSZ086P03NS3EGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ086P03NS3EGATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSZ086P03NS3EGATMA1
LIXINC Part #	BSZ086P03NS3EGATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSZ086P03NS3EGATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSZ086P03NS3EGATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSZ086P03NS3EGATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	13.5A (Ta), 40A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	6V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.1V @ 105µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	57.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	4785 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.1W (Ta), 69W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TSDSON-8
pakket / koffer:	8-PowerTDFN