TPN4R303NL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TPN4R303NL,L1Q
LIXINC Part #	TPN4R303NL,L1Q
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TPN4R303NL,L1Q PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TPN4R303NL,L1Q Specificaties

Onderdeel nummer:	TPN4R303NL,L1Q
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	40A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 200µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	14.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	700mW (Ta), 34W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
pakket / koffer:	8-PowerVDFN